Samsung sviluppa la prima DRAM a 10nm di terza generazione
Samsung sviluppa il primo chip DRAM di terza generazione a 8 gigabit - DDR4 con tecnologia produttiva a 10nm.
Samsung Electronics ha annunciato di aver sviluppato una nuova DRAM di terza generazione. Si tratta in particolare di DRAM 10-nanometer-class (1z-nm), otto-gigabit (Gb), Double Data Rate 4 ( ddr4). Il prodotto risulta primo nel proprio genere a livello industriale. L’azienda ha svelato la novità ad appena 16 mesi dall’entrata in produzione di massa della DDR4 di seconda generazione, 1y-nm.
Lo sviluppo della nuova tecnologia 1z-nm 8Gb ddr4 senza la necessità della elaborazione Extreme Ultra-Violet (EUV), ha spinto più avanti i limiti della miniaturizzazione DRAM.
Samsung è ora in grado di rispondere alle crescenti richieste di mercato con questa nuova DRAM DDR4: la nuova versione consente un guadagno di produzione superiore di oltre il 20% rispetto alla precedente versione 1y-nm. La distribuzione di massa della tecnologia 1z-nm 8Gb DDR4 inizierà nella seconda metà dell’anno. Il colosso sud-Coreano soddisferà le richieste per i server enterprise di nuova generazione e le workstation di fascia alta che si affacceranno sul mercato nel 2020.
“Il nostro impegno di risolvere le maggiori sfide tecnologiche ci ha sempre spinti verso una maggiore innovazione. Siamo lieti di aver rinsaldato le fondamenta per la produzione di DRAM di nuova generazione che assicurino la massima performance ed efficienza energetica.”
ha dichiarato Jung-bae Lee, executive vice president del dipartimento DRAM product & technology.
“Non appena ottimizzata la catena di produzione DRAM 1z-nm, Samsung farà di tutto per garantire supporto ai propri clienti. Vogliamo favorire lo sviluppo di sistemi all’avanguardia nel mondo, e rafforzare la crescita del mercato delle memorie premium.”
Lo sviluppo della DRAMe 1z-nm da parte di Samsung apre la strada ad una più rapida transizione dell’IT globale verso la nuova generazione di interfacce DRAM come DDR5, LPDDR5 e GDDR6. Con esse si svilupperà un fronte costante di innovazione digitale. I prodotti successivi alle DRAM 1z-nm, con capacità ed efficienza più elevate, consentiranno a Samsung di rafforzare la propria competitività commerciale. In tal modo l’azienda rinsalderà la propria leadership nel mercato di DRAM premium per applicazioni che includono server e devices grafici e mobili.
Dopo la completa verifica con un produttore di CPU di moduli DDR4 da otto GB, Samsung collaborerà attivamente con i propri clienti per il rilascio di una vasta scelta di soluzioni differenti. In linea con le attuali richieste dell’industria, Samsung progetta di aumentare la propria share di produzione di memorie presso il sito di Pyeongtaek.
